硅基高k氧化物锶硅界面缓冲层的研究

借助STM这个可以提供原子尺度结构和电子态的有力工具, 本书对Sr/Si体系进行了深入的研究, 主要分为以下3个部分: (1) 第一部分: Si (100) 衬底上的 Sr/Si再构; (2) 第二部分: Si (111) 衬底上的Sr/Si 再构;(3) 第三部分: 超薄SrTiO3膜的高温晶化。